SOI CMOS結(jié)構(gòu)和工藝

時(shí)間：2022-12-06作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：291

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• CMOS圖像傳感器，路在何方？

  CMOS圖像傳感器制造的工藝問(wèn)題CMOS圖像傳感器采用8英寸和12英寸晶圓代工廠的成熟工藝制程，用于手機(jī)、汽車(chē)、消費(fèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)和醫(yī)療系統(tǒng)、安防攝像頭。配置雙攝像頭和多攝像頭的智能手機(jī)已是司空見(jiàn)慣，每個(gè)攝像頭均需要集成一顆CMOS圖像傳感器將光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)以創(chuàng)建圖像。CMOS圖像傳感器外觀示意圖智能手機(jī)搭載的CMOS圖像傳感器數(shù)量還將增加，為攝像頭賦予高分辨率和豐富的功能。例如，三星較新款5G智

• 中國(guó)攝像頭CMOS需求潛力旺盛

  中國(guó)攝像頭CMOS需求潛力旺盛CCD和CMOS在制造上的主要區(qū)別是CCD是集bai成在半導(dǎo)體單晶材料上du，而CMOS是集成zhi在被稱(chēng)做金屬氧化物的半導(dǎo)體材料dao上，工作原理沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別。CCD只有少數(shù)幾個(gè)廠商例如索尼、松下等掌握這種技術(shù)。而且CCD制造工藝較復(fù)雜，采用CCD的攝像頭價(jià)格都會(huì)相對(duì)比較貴。事實(shí)上經(jīng)過(guò)技術(shù)改造，目前CCD和CMOS的實(shí)際效果的差距已經(jīng)減小了不少。而且CMOS的制造

• MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

  1 MEMS 比 CMOS 的復(fù)雜之處MEMS 與 CMOS的根本區(qū)別在于：MEMS 是帶活動(dòng)部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS *有的，例如失效機(jī)理。舉個(gè)例子，由于 CMOS 器件沒(méi)有活動(dòng)部件，因此不需要釋放工藝。正因?yàn)槿绱?，?dāng)活動(dòng)部件“粘”在表面上，導(dǎo)致設(shè)備故障時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生靜摩擦，CMOS 沒(méi)有這種問(wèn)題。CMOS 器件是在硅材料上逐層

• CMOS微縮結(jié)束了嗎？

  不可否認(rèn)的是，CMOS的微縮已經(jīng)成為推動(dòng)過(guò)去幾十年的巨大進(jìn)步的“燃料”，以提高性能、效率和降低集成電路和系統(tǒng)的成本，從而實(shí)現(xiàn)新的應(yīng)用。摩爾定律的終結(jié)已經(jīng)被預(yù)言了很多次，而材料、設(shè)備概念和圖案的創(chuàng)新已經(jīng)為當(dāng)前的10nm以下技術(shù)掃清了道路。然而，該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個(gè)階段:過(guò)去50年的規(guī)模化所帶來(lái)的功耗、性能、面積和成本(PPAC)方面的典型收益已經(jīng)變得越來(lái)越難以實(shí)現(xiàn)，尤其是在展望未來(lái)3nm技術(shù)的時(shí)候