小課堂之CMOS芯片檢測(cè)

時(shí)間：2022-12-07作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：206

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• SOI CMOS結(jié)構(gòu)和工藝

  常規(guī)的CMOS結(jié)構(gòu)中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結(jié)構(gòu)。當(dāng)SCR被觸發(fā)時(shí)，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應(yīng) (Latch-up)。為避免閂鎖效應(yīng)，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術(shù)制作CMOS電路，即在藍(lán)寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結(jié)。但是，藍(lán)寶石價(jià)格昂

• 主板cmos電路分析哪些方面，CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)作用是什么？

  CMOS電路是互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫(xiě)，它由絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成，由于只有一種載流子，因而是一種單較型晶體管集成電路，其基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)N溝道MOS管和一個(gè)P溝道MOS管，如下圖所示。CMOS電路基本結(jié)構(gòu)示意圖cmos電路工作原理cmos電路分析工作原理如下：由于兩管柵較工作電壓極性相反，故將兩管柵較相

• 中國(guó)攝像頭CMOS需求潛力旺盛

  中國(guó)攝像頭CMOS需求潛力旺盛CCD和CMOS在制造上的主要區(qū)別是CCD是集bai成在半導(dǎo)體單晶材料上du，而CMOS是集成zhi在被稱做金屬氧化物的半導(dǎo)體材料dao上，工作原理沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別。CCD只有少數(shù)幾個(gè)廠商例如索尼、松下等掌握這種技術(shù)。而且CCD制造工藝較復(fù)雜，采用CCD的攝像頭價(jià)格都會(huì)相對(duì)比較貴。事實(shí)上經(jīng)過(guò)技術(shù)改造，目前CCD和CMOS的實(shí)際效果的差距已經(jīng)減小了不少。而且CMOS的制造

• CMOS工藝流程介紹

  CMOS的制作需要經(jīng)過(guò)一系列的復(fù)雜的化學(xué)和物理操作，而做為一名集成電路版圖（ic layout）工程師，系統(tǒng)的了解這個(gè)在半導(dǎo)體制造技術(shù)中具有代表性的CMOS工藝流程是非常有必要的。只有熟悉了工藝流程才會(huì)了解各層次之間的關(guān)系，才會(huì)在IC Layout的繪制中考慮到版圖中各層次對(duì)流片產(chǎn)生的影響。1初始清洗將晶圓放入清洗槽中，利用化學(xué)或物理方法將在晶圓表面的塵?；螂s質(zhì)去除，防止這些雜質(zhì)塵粒對(duì)后續(xù)制造工藝