SKiiP智能Mini迷你IGBT模塊設(shè)計(jì)特點(diǎn)？

時(shí)間：2020-06-23作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：85

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場(chǎng)越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)Q5放

• 晶閘管的種類、特點(diǎn)及用途

  晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向?qū)ㄐ?、電壓和電流控制、小?qū)動(dòng)（毫安級(jí)）控制大功率負(fù)載。由于其特點(diǎn)，常用于可控整流、逆變器、無觸點(diǎn)開關(guān)、交流壓力調(diào)節(jié)等方面。除了普通的晶閘管外，由于不同場(chǎng)合的使用要求，還產(chǎn)生了各種類型的晶閘管。普通晶閘管1.關(guān)閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導(dǎo)通的正向觸發(fā)信號(hào)，控制較G為了關(guān)閉普通晶閘管，必須失去陽極A與陰極K正電壓為零或負(fù)電壓。只要控制較

• 熔斷器保險(xiǎn)絲廠家

  熔斷器又稱為保險(xiǎn)絲，是用于保護(hù)電路的安全設(shè)備。它們安裝于各種供電設(shè)和負(fù)載之間，電流過高時(shí)便會(huì)觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”)，把負(fù)載從電源中斷開，減低過流造成設(shè)備損壞甚至引起火災(zāi)的風(fēng)險(xiǎn)。燒斷了的保險(xiǎn)絲必須棄置并替換，這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復(fù)位的。不過保險(xiǎn)絲價(jià)格便宜，而且容易替換。新的保險(xiǎn)絲應(yīng)該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險(xiǎn)絲提供的安全機(jī)制使得它們成為各種應(yīng)用的的**助

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT結(jié)構(gòu)

  IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有