【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：274

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 晶閘管工作原理

  1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡(jiǎn)稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。晶閘管的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)較快,在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統(tǒng)

• 晶閘管的種類、特點(diǎn)及用途

  晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向?qū)ㄐ浴㈦妷汉碗娏骺刂?、小?qū)動(dòng)（毫安級(jí)）控制大功率負(fù)載。由于其特點(diǎn)，常用于可控整流、逆變器、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)、交流壓力調(diào)節(jié)等方面。除了普通的晶閘管外，由于不同場(chǎng)合的使用要求，還產(chǎn)生了各種類型的晶閘管。普通晶閘管1.關(guān)閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導(dǎo)通的正向觸發(fā)信號(hào)，控制較G為了關(guān)閉普通晶閘管，必須失去陽(yáng)極A與陰極K正電壓為零或負(fù)電壓。只要控制較

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT結(jié)構(gòu)

  IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有