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LPCVD設備


    青島福潤德微電子設備有限公司專注于鏈式爐排,全自動擴散爐,小型真空爐,加熱爐體,石棉圈,小型馬弗爐等

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    詞條說明

  • led專用爐

    ■ LED**爐特點?? ◆ 關鍵件全部采用進口件,具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報警、**溫報警、極限**溫報警等多種安全保護功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路,可供用戶隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達可

  • 太陽能擴散爐

    太陽能電池擴散工藝及其設備 太陽能電池擴散工藝及其設備 ????技術方案是:一種太陽能電池擴散工藝,在太陽能電池擴散工藝中通控制抽氣排風壓力,使抽氣排風壓力這個參數保持穩(wěn)定,抽氣排風壓力這個參數保持穩(wěn)定,抽氣排風壓力的穩(wěn)定導致辭磷在硅片中的注入濃度穩(wěn)定,使加工后得到的硅片的方塊電池保持穩(wěn)定,在后道的燒結中可以匹配出高效的太陽能電池。抽氣排風壓力通過在機臺排

  • 鏈帶式焊接爐

    鏈帶式焊接爐技術方案 鏈帶式焊接爐主要應用于半導體器件,金屬陶瓷,可控硅器件,玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結的連續(xù)工作的隧道式結構熱處理爐。 一、主要技術指標 1、設計溫度:≤700℃ 2、工作溫度:300℃~600℃ 3、爐內控溫:±5℃ 4、儀表控制精度:±1℃ 5、設備總長度:約10600mm;進出口臺面各為:800mm。 6、加熱區(qū)長度:≤3000mm(6段加熱) 7、冷卻區(qū)長

  • LPCVD設備

    LPCVD設備維修及應用 低壓化學氣相淀積設備使用與維護技術 LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一。 PCVD技術可以提高淀積薄膜的質量,使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點,成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設備使用過程中出現薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內均勻性、片間均勻性不理想等問題,提

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