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(單管程序氧化爐)


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    詞條說明

  • LPCVD設備

    LPCVD設備維修及應用 低壓化學氣相淀積設備使用與維護技術 LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一。 PCVD技術可以提高淀積薄膜的質量,使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點,成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設備使用過程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內均勻性、片間均勻性不理想等問題,提

  • 太陽能擴散爐

    太陽能電池擴散工藝及其設備 太陽能電池擴散工藝及其設備 ????技術方案是:一種太陽能電池擴散工藝,在太陽能電池擴散工藝中通控制抽氣排風壓力,使抽氣排風壓力這個參數保持穩(wěn)定,抽氣排風壓力這個參數保持穩(wěn)定,抽氣排風壓力的穩(wěn)定導致辭磷在硅片中的注入濃度穩(wěn)定,使加工后得到的硅片的方塊電池保持穩(wěn)定,在后道的燒結中可以匹配出高效的太陽能電池。抽氣排風壓力通過在機臺排

  • 擴散爐

    擴散爐由控制系統(tǒng)、進出舟系統(tǒng)、爐體加熱系統(tǒng)和氣體控制系統(tǒng)等組成。 控制系統(tǒng) 控制部分包括:溫控器、功率部件、**溫保護部件、系統(tǒng)控制。 系統(tǒng)控制部分有四個獨立的計算機控制單元,分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分,是擴散/氧化系統(tǒng)的控制中心。 擴散爐網絡控制 輔助控制系統(tǒng),包括推舟控制裝置、保護電路、電路轉接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風開關等。 較**的擴散爐控制系統(tǒng)均已較新或升級到微

  • (單管程序氧化爐)

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