詞條
詞條說(shuō)明
擴(kuò)散爐由控制系統(tǒng)、進(jìn)出舟系統(tǒng)、爐體加熱系統(tǒng)和氣體控制系統(tǒng)等組成。 控制系統(tǒng) 控制部分包括:溫控器、功率部件、**溫保護(hù)部件、系統(tǒng)控制。 系統(tǒng)控制部分有四個(gè)獨(dú)立的計(jì)算機(jī)控制單元,分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分,是擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)的控制中心。 擴(kuò)散爐網(wǎng)絡(luò)控制 輔助控制系統(tǒng),包括推舟控制裝置、保護(hù)電路、電路轉(zhuǎn)接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風(fēng)開(kāi)關(guān)等。 較**的擴(kuò)散爐控制系統(tǒng)均已較新或升級(jí)到微
LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量,使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn),成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過(guò)程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問(wèn)題,提
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)
? 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100~600oC可調(diào)),特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化,用以提高器件和集成電路可靠性。目前,它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點(diǎn): 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機(jī)(易漏大氣而
?石英軟領(lǐng)為進(jìn)口石英纖維棉采用德國(guó)加工工藝制成,用于擴(kuò)散爐和PECVD設(shè)備中爐體和石英管之間的隔熱保溫,解決了以往用保溫棉存在的兩大問(wèn)題:一是保溫棉長(zhǎng)時(shí)間在高溫下出現(xiàn)粉化脫落從而影響工作腔體潔凈度,二是手動(dòng)堵塞保溫棉不均勻,影響工作區(qū)溫度穩(wěn)定性和均勻性。本產(chǎn)品可長(zhǎng)期使用在高溫下,不粉化,不變形,不硬化,不氧化,防震,防腐蝕。
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