濕度和氣體濃度實驗設備產(chǎn)品優(yōu)勢

時間：2023-11-11

作者：鄭州科探儀器設備有限公司

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小型濺射儀問題解答
小型濺射儀儀問儀答近小伙伴對于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問的問題比較多，今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見的技術(shù)問題：1、膜厚檢測儀原理：膜厚監(jiān)測儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測量技術(shù)加上的數(shù)學算法，進行膜厚的在線鍍膜速率和實時厚度計算。主要應用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設備的薄膜制備過程中，對膜層厚度及鍍膜速率進行實時監(jiān)測。2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳 ?但是鎳是導磁金屬
真空探針臺優(yōu)勢和適用于那些科研
KT-Z1604T探針臺主要應用于傳感器，半導體，光電，集成電路以及封裝的測試。廣泛應用于復雜、高速器件的精密電氣測量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時間和器件制造工藝的成本。??? 該探針臺的承載臺為60x60不銹鋼臺面，臺面較高可升溫到較高350℃。真空腔體設計有進氣口和抽真空接口。探針臂為X/Y/Z三軸移動，三個方向均可在真空環(huán)境下精密移位調(diào)節(jié)，其中X
你并不了解小型濺射儀
小型濺射儀的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就
磁控濺射技術(shù)原理及應用簡介
磁控濺射技術(shù)原理及應用簡介一、磁控濺射原理磁控濺射是一種常用的物相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點。傳統(tǒng)的濺射技術(shù)的工作原理是：在高真空的條件下，入射離子（Ar+）在電場的作用下轟擊靶材，使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動能脫離靶材表面，沉積在基片表面形成薄膜。但是，電子會受到電場和磁場的作用，產(chǎn)生漂移，因而導致傳濺射效率低，電