磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡(jiǎn)介

時(shí)間：2023-10-07作者：鄭州科探儀器設(shè)備有限公司瀏覽：144

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• 磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡(jiǎn)介

  磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡(jiǎn)介一、磁控濺射原理磁控濺射是一種常用的物相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)的濺射技術(shù)的工作原理是：在高真空的條件下，入射離子（Ar+）在電場(chǎng)的作用下轟擊靶材，使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動(dòng)能脫離靶材表面，沉積在基片表面形成薄膜。但是，電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用，產(chǎn)生漂移，因而導(dǎo)致傳濺射效率低，電

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