微電容單通道叉指電極真空探針臺(tái)用途介紹

時(shí)間：2023-10-07作者：鄭州科探儀器設(shè)備有限公司瀏覽：103

鄭州科探儀器設(shè)備有限公司專注于真空探針臺(tái),小型離子蒸鍍儀,小型離子濺射儀等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 小型濺射儀問題解答

  小型濺射儀儀問儀答近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問的問題比較多，今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見的技術(shù)問題：1、膜厚檢測(cè)儀原理：膜厚監(jiān)測(cè)儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測(cè)量技術(shù)加上的數(shù)學(xué)算法，進(jìn)行膜厚的在線鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過程中，對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳 ?但是 鎳是導(dǎo)磁金屬

• PVD制備K型薄膜熱電偶的研究

  熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測(cè)溫范圍廣,堅(jiān)固耐用,無(wú)自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對(duì)被測(cè)物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺

• 真空封口機(jī)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及主要問題解答

  怎么判斷哪些東西可以封？1，高溫不熔化。2、高溫下不與石英管產(chǎn)生反應(yīng)。3、液體沒辦法抽真空，液體里又氧氣。對(duì)封管機(jī) 場(chǎng)地的要求？氫氧水焊機(jī)需要通風(fēng)。石英管封口要預(yù)留多長(zhǎng)？要留50mm-70mm（石英管內(nèi)如果是熔點(diǎn)低物品，少70），夾頭伸進(jìn)去要30mm。封管機(jī)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：1、 每個(gè)設(shè)備出廠有經(jīng)過氦質(zhì)譜撿漏測(cè)試確保氣密性?2、 設(shè)備磁流體密封件接觸氣體部分采用陶瓷軸承 高成本帶來(lái)的是耐腐蝕（普

• 基于真空探針臺(tái)的紅外焦平面自動(dòng)測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)研究

  紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢(shì)在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,因此備受各國(guó)重視,競(jìng)相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。? ? 由于國(guó)外對(duì)紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來(lái)我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域取得了一些進(jìn)展,但很多方面還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于世界水平。? ? 因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)