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1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,西門康可控硅憑借其卓越的性能和可靠性,已成為眾多工業(yè)應用中的核心元件。作為一家專業(yè)代理國際知名半導體品牌的企業(yè),我們深知西門康可控硅在電力控制與轉(zhuǎn)換中的關(guān)鍵作用。本文將詳細介紹西門康可控硅的主要功能、技術(shù)特點及其在各行業(yè)中的廣泛應用。西門康可控硅的基本原理與特性可控硅,又稱晶閘管,是一種大功率半導體開關(guān)器件。西門康作為全球知名的半導體制造商,其可控硅產(chǎn)品在業(yè)內(nèi)享有盛譽。西門
1. 熔斷器類型的選擇應根據(jù)使用場合選擇熔斷器的類型。電網(wǎng)配電一般用刀型觸頭熔斷器;電動機保護一般用螺旋式熔斷器;照明電路一般用圓筒帽形熔斷器;保護可控硅元件則應選擇半導體保護用快速式熔斷器。2. 熔斷器規(guī)格的選擇1) 熔體額定電流的選擇(1) 對于變壓器、電爐和照明等負載,熔體的額定電流應略大于或等于負載電流。(2) 對于輸配電線路,熔體的額定電流應略大于或等于線路的安全電流。(3) 在電動機回
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,發(fā)揮著不可替代的作用。英飛凌IGBT模塊憑借其卓越的性能與廣泛的應用,成為眾多行業(yè)實現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換與精準控制的首選方案。本文將圍繞英飛凌IGBT模塊的基本結(jié)構(gòu)、工作原理及其在實際應用中的優(yōu)勢展開闡述。IGBT是一種復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,它巧妙結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的高速開關(guān)特性和雙極型晶體
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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