詞條
詞條說(shuō)明
IXYS可控硅模塊的選擇需要考慮多個(gè)因素,包括模塊的電壓、電流容量、觸發(fā)電流和工作溫度等。以下是對(duì)IXYS可控硅模塊選擇的一些基本步驟和注意事項(xiàng)的簡(jiǎn)要概述:1. **確定應(yīng)用需求**:首先,你需要明確你的應(yīng)用場(chǎng)景需要什么樣的電壓和電流。IXYS可控硅模塊的電壓范圍從5V到400V不等,電流范圍從幾毫安到幾百安培。確保你的模塊能夠滿(mǎn)足你的實(shí)際需求。2. **考慮負(fù)載特性**:可控硅模塊的負(fù)載特性對(duì)其
二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了,從1930年開(kāi)始,半導(dǎo)體整流器開(kāi)始投入市場(chǎng)。二極管模塊分為:快恢復(fù)二極管模塊,肖特基二極管模塊,整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。二級(jí)管一般指電流、電壓、功率比較小的單管,一般電流在幾個(gè)安培以?xún)?nèi),電壓最高1000多V,但是反向恢復(fù)素很快,只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns,用在小功率開(kāi)關(guān)電源做輸出整流,或需要頻繁開(kāi)關(guān)的場(chǎng)
? ? ? 可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)
薄膜電容器是一種以金屬箔當(dāng)電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而聚丙烯的薄膜電容它吸收系數(shù)很小,容量及損耗角正切tg σ隨溫度變化很小,介電強(qiáng)度隨溫度上升有所增加,這是他的一種特點(diǎn),這是其他電容器難以擁有的。那什么是它的吸收系數(shù)呢?這是用來(lái)形容薄膜電容器電介質(zhì)吸收現(xiàn)象的數(shù)值,我們稱(chēng)之為吸收系數(shù),這是和電介質(zhì)、電介質(zhì)的極化和電容器的吸收
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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電 話: 0512-50111678
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