麗水可控硅模塊型號(hào)

時(shí)間：2025-06-04作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：69

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 一篇文章帶你重新認(rèn)識(shí)可控硅

  可控硅的PN結(jié)比三極管多了半個(gè)，它有兩個(gè)P型半導(dǎo)體和兩個(gè)N型半導(dǎo)體組成，我們把它看做是漢堡的話，最底層的是N型半導(dǎo)體，上面的是P型半導(dǎo)體，再上面又是N型半導(dǎo)體，最后一層也還是P型半導(dǎo)體，它總共有四層半導(dǎo)體，N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體交錯(cuò)互織在一起，而里面就夾雜著三個(gè)PN結(jié)，我們?cè)诘诙拥腜型半導(dǎo)體中接出引線，就成了可控硅的控制極，在第四層接引線稱作陽(yáng)極，在最下面的N型半導(dǎo)體上接的引線就叫做陰極。單向可

• 檢驗(yàn)變頻器整流橋模塊廠家好壞的方法

  整流橋模塊廠家（m.qiwodz.b2b168.com）按照以往的生產(chǎn)操經(jīng)驗(yàn)大概有如下幾種可以可以快速檢驗(yàn)出整流橋模塊的好壞；1、先測(cè)試逆變電路是否有問(wèn)題，方法如下：將紅表棒接到P端,黑表棒分別接U、V、W上，應(yīng)該有幾十歐的阻值，且各相阻值基 本相同，反相應(yīng)該為無(wú)窮大。將黑表棒接到N端，重復(fù)以上步驟應(yīng)得到相同結(jié)果，否則 可確定逆變模塊故障2.再測(cè)試整流電路，方法如下：找到變頻器內(nèi)部直流電源的P端和

• 【整流橋模塊廠家】測(cè)試可控硅模塊的升溫3個(gè)方法

  可控硅模塊使用時(shí)間長(zhǎng)了，它的溫度就會(huì)升高，如果溫度過(guò)高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要我們了解測(cè)試可控硅模塊的升溫方法：1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測(cè)定：在距被測(cè)可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì)，溫度計(jì)測(cè)點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高，溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來(lái)輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。2、可控硅模塊溫升按下式計(jì)算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升，℃。

• 英飛凌各代IGBT模塊技術(shù)詳解

  # IGBT模塊技術(shù)的演進(jìn)與未來(lái)趨勢(shì)## IGBT技術(shù)發(fā)展歷程IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)經(jīng)歷了多次重大革新。早期產(chǎn)品采用平面柵結(jié)構(gòu)，開關(guān)速度相對(duì)較慢，導(dǎo)通損耗較高。隨著工藝進(jìn)步，溝槽柵技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，顯著降低了導(dǎo)通壓降，提高了開關(guān)頻率。第三代IGBT引入場(chǎng)終止技術(shù)，使芯片厚度大幅減小，同時(shí)保持了良好的阻斷電壓能力。近年來(lái)出現(xiàn)的第七代IGBT模塊在功率密度方面取得突破，單位面積電