【可控硅模塊】可控硅的工作原理和主要作用

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：2716

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• SKiiP智能Mini迷你IGBT模塊設(shè)計(jì)特點(diǎn)？

  MiniSKiiP產(chǎn)品的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是在負(fù)載和門較端子中使用易于裝配且便于維護(hù)的彈簧連接。相較于需要昂貴的焊接設(shè)備、焊接過程費(fèi)時(shí)的傳統(tǒng)焊接模塊，MiniSKiiP組裝*任何特殊工具，僅使用一到兩個(gè)螺絲連接，一步便可組裝好印刷電路板（PCB）、功率模塊和散熱片。圖1：MiniSKiiP裝配示意圖圖2：MiniSKiiP系列封裝MiniSKiiP可以提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的所有拓?fù)?，如CIB(變流器-逆變器-

• 英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法

  英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法 ：測(cè)試方式：用萬用表只能測(cè)量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測(cè)量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn)：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負(fù)表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導(dǎo)通狀態(tài)，電壓為0.34V左右。若想完整測(cè)試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1

• 英飛凌IGBT模塊

  可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高