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詞條說明
測(cè)試可控硅模塊的升溫3個(gè)方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測(cè)定:在距被測(cè)可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì),溫度計(jì)測(cè)點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)
晶閘管模塊也叫可控硅模塊,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中,多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機(jī)及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件,德國西門康可控硅模塊代替一下型號(hào):SKKT15/12(16)E(
方法一:可控硅模塊測(cè)量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測(cè)得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測(cè)得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí),就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測(cè)得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí).就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如
可控硅分類(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓
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