毫歐電阻的溫度影響精度測試分析

時間：2015-08-14作者：長春艾克思科技有限責任公司瀏覽：140

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  詞條說明

• MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析

  MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析 BJT?管并聯(lián)均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數的篩選。 首先我們測試從某網店購買的IRF4

• 可編程高壓電源

  一、應用范圍 1、高壓實驗 2、電器設備的絕緣耐壓測試 3、 高壓電容耐壓測試 4、電子加速實驗 5、 電離空氣產生等離子體 6、半導體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試 二、電源參數 類型 數值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調節(jié)輸出的0-20kv 過流保護 5 W 當輸出功率大于5W時，電源自動啟動保護 輸出功率 0

• 0-45A??高精度積木式LD半導體激光器恒流源

  0-45A??高精度積木式LD半導體激光器恒流源 (型號：PWR-45A-20V) 應用范圍：LD激光器驅動光纖激光器激光打標機高頻調Q激光 優(yōu)點：**：結構簡單且容易實現任意大小電流輸出，使用子模塊搭積木式結構，客戶維護方便快捷。 *二：基于子模塊高精度、高效率的特點，系統(tǒng)也具有精度高，效率**高特點。 *三：系統(tǒng)母板上再設過流、過熱保護，使得恒流源半導體激光器橫流驅動源高可靠性。

• MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析

  MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析 BJT?管并聯(lián)均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數的篩選。 首先我們測試從某網店購買的IRF4