MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時間：2015-08-26作者：長春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：158

長春艾克思科技有限責(zé)任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測試儀,TEC溫度控制器等

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  肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管，測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示，紅線所示連接1，黑線連接二極管2，撥動一下20KV穩(wěn)壓電源的測試按鈕，即可在顯示屏上顯示二極管的反向電

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  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開關(guān)。電光調(diào)Q開關(guān)的開關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點！但是正是由于較高的開關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動器通過導(dǎo)線和晶體連接，連接導(dǎo)線等效為一個諧振電感L，晶體等效為一個諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過程是一個高壓窄脈沖過程，高壓脈

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  AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機領(lǐng)域！ 該模塊在原有基礎(chǔ)上，將工作頻率提高到2kHz，自身消耗功率小于5W，體積小巧，很容易和激光器集成在一起。同時模塊增加了和激光打標(biāo)卡的接口，直接用于現(xiàn)有各種打標(biāo)軟件系統(tǒng)。