詞條
詞條說(shuō)明
正負(fù)干擾抵消電光調(diào)Q干擾消除方法分析 高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版 電光調(diào)Q是一種高壓窄脈沖,具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強(qiáng)干擾的特性,電子設(shè)備在如此干擾的環(huán)境中,往往出現(xiàn)死機(jī)、誤動(dòng)作、花屏、甚至燒損等故障,這類故障的形成原因復(fù)雜,使用傳統(tǒng)的處理故障手段力所不及。一般情況下,電光調(diào)Q形成單向高壓脈沖,雖然采用濾波,屏蔽等手段,能夠降低干擾到原來(lái)的10%;但是任然不能滿足精密測(cè)試的要求;較高等
0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動(dòng)源
0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動(dòng)源 (型號(hào):TEC-300W-15A-20) 可用于控制激光器件、 醫(yī)療器件、半導(dǎo)體器件、紅外探測(cè)器、光電倍增管、或其它任何需要溫度控制的地方。該產(chǎn)品采用現(xiàn)代較新電力電子器件和高速微處理器(MPU)程序控制技術(shù),以及PWM調(diào)制、雙向電源、PID調(diào)節(jié)技術(shù),具有優(yōu)良的電壓、電流輸出特性,開(kāi)關(guān)機(jī)時(shí)無(wú)過(guò)沖、反沖、浪涌現(xiàn)象,并帶有過(guò)流、過(guò)溫、欠溫等保護(hù)電路,以及一組常
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4
電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品
電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品 ??? 我公司研制的電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品,分別為100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在測(cè)試階段。
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負(fù)30KV高精度可調(diào)高壓穩(wěn)壓測(cè)試電源 準(zhǔn)確價(jià)格請(qǐng)咨詢
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HV-200KV-2kW型 0 200kV精密可調(diào)高壓電源準(zhǔn)確價(jià)格請(qǐng)咨詢
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