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MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動源
0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動源 (型號:TEC-300W-15A-20) 可用于控制激光器件、 醫(yī)療器件、半導(dǎo)體器件、紅外探測器、光電倍增管、或其它任何需要溫度控制的地方。該產(chǎn)品采用現(xiàn)代較新電力電子器件和高速微處理器(MPU)程序控制技術(shù),以及PWM調(diào)制、雙向電源、PID調(diào)節(jié)技術(shù),具有優(yōu)良的電壓、電流輸出特性,開關(guān)機(jī)時無過沖、反沖、浪涌現(xiàn)象,并帶有過流、過溫、欠溫等保護(hù)電路,以及一組常
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管,測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線所示連接1,黑線連接二極管2,撥動一下20KV穩(wěn)壓電源的測試按鈕,即可在顯示屏上顯示二極管的反向電
首創(chuàng):5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能!
**:5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能! 電光調(diào)Q開關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開關(guān)。電光調(diào)Q開關(guān)的開關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點!但是正是由于較高的開關(guān)速度,在調(diào)Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應(yīng),這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng):調(diào)Q驅(qū)動器通過導(dǎo)線和晶體連接,連接導(dǎo)線等效為一個諧振電感L,晶體等效為一個諧振電容C,如圖1所示;電光調(diào)Q過程是一個高壓窄脈沖過程,高壓脈
公司名: 長春艾克思科技有限責(zé)任公司
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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