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江西新余藍(lán)膜片貴金屬回收元器件回收


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  • 報(bào)廢晶圓降級晶片電子回收

    報(bào)廢晶圓降級晶片電子回收 降級晶片 降級晶片 MOS管型防反接保護(hù)電路利用了MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,現(xiàn)在MOSFETRds(on)已經(jīng)能夠做到毫歐級,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護(hù)將保護(hù)用場效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。保護(hù)用場效應(yīng)管為PMOS場效應(yīng)管或NMOS場效應(yīng)管。若為PMOS,其柵較

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