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碳酸鋰:半導(dǎo)體制造流程里的隱形 “大功臣”


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  • 二氧化鈦表面氧空位缺陷對(duì)半導(dǎo)體載流子輸運(yùn)的調(diào)控機(jī)制

    # 氧空位缺陷如何影響半導(dǎo)體性能半導(dǎo)體材料中的氧空位缺陷一直被視為影響器件性能的關(guān)鍵因素。二氧化鈦?zhàn)鳛橐环N重要的半導(dǎo)體材料,其表面的氧空位缺陷對(duì)載流子輸運(yùn)過(guò)程具有顯著調(diào)控作用。這種調(diào)控機(jī)制不僅關(guān)系到材料的基本物理性質(zhì),也直接影響著光催化、太陽(yáng)能電池等實(shí)際應(yīng)用效果。氧空位缺陷的形成源于晶體結(jié)構(gòu)中氧原子的缺失。在二氧化鈦晶格中,每個(gè)氧原子理論上應(yīng)該與鈦原子形成配位結(jié)構(gòu)。當(dāng)氧原子缺失時(shí),會(huì)在原位置留下一

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