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解讀半導(dǎo)體制造中氧化釹不可或缺的緣由


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  • 納米氮化鋁粉體在半導(dǎo)體大功率器件散熱基板中的應(yīng)用

    ## 氮化鋁粉體:半導(dǎo)體散熱的隱形不錯(cuò)半導(dǎo)體器件功率不斷提升,散熱問題日益**。傳統(tǒng)氧化鋁基板導(dǎo)熱系數(shù)不足,難以滿足大功率器件的散熱需求。氮化鋁粉體憑借其優(yōu)異的導(dǎo)熱性能脫穎而出,成為新一代散熱基板的**材料。氮化鋁粉體的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)170-200W/(m·K),是氧化鋁的5-7倍。這種特性源于其特殊的晶體結(jié)構(gòu),原子間結(jié)合力強(qiáng),聲子平均自由程長。在制備工藝上,通過優(yōu)化燒結(jié)助劑和成型工藝,可以獲得致密

  • 揭秘:氧化鋯怎樣以核心作用,串聯(lián)起現(xiàn)代生活的方方面面

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    半導(dǎo)體封裝材料的"隱形守護(hù)者":納米氧化鋁粉體在芯片性能持續(xù)突破的今天,散熱問題成為制約半導(dǎo)體發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)封裝材料的熱導(dǎo)率已難以滿足高功率芯片的散熱需求,而納米氧化鋁粉體的出現(xiàn)為這一難題提供了創(chuàng)新解決方案。納米氧化鋁粉體能夠顯著提升封裝材料熱導(dǎo)率的奧秘在于其*特的微觀結(jié)構(gòu)。當(dāng)納米級氧化鋁顆粒均勻分散在基體材料中時(shí),會(huì)形成三維導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)。這些粒徑在20-50納米的顆粒具有較大的比表面積,能夠與

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