詞條
詞條說(shuō)明
在當(dāng)今電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件,正發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),英飛凌科技公司生產(chǎn)的IGBT產(chǎn)品以其卓越的性能和可靠性,在工業(yè)自動(dòng)化、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將深入探討英飛凌IGBT的主要作用及其在各行業(yè)中的關(guān)鍵應(yīng)用。一、英飛凌IGBT的基本特性與工作原理英飛凌IGBT是
# IGBT模塊內(nèi)部構(gòu)造解析## 功率半導(dǎo)體的核心結(jié)構(gòu)IGBT模塊作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心部件,其內(nèi)部構(gòu)造直接決定了性能表現(xiàn)。模塊內(nèi)部主要由多個(gè)IGBT芯片和二極管芯片組成,通過(guò)精密布局實(shí)現(xiàn)大電流承載能力。芯片與基板之間采用焊接工藝連接,這種金屬化互連技術(shù)確保了良好的導(dǎo)熱性和電氣導(dǎo)通性。模塊內(nèi)部的鋁線鍵合工藝將芯片電極與外部端子相連,這種連接方式需要承受高電流密度下的熱機(jī)械應(yīng)力。絕緣基板是模塊內(nèi)
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)
引言在當(dāng)今電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為核心功率半導(dǎo)體器件,其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,其IGBT產(chǎn)品線豐富多樣,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。面對(duì)如此豐富的產(chǎn)品系列,如何正確選擇適合的英飛凌IGBT型號(hào)成為工程師們面臨的重要課題。本文將系統(tǒng)介紹英飛凌IGBT的選型要點(diǎn),幫助您做出更
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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