CR6520A低成本恒流芯片：革新科技，提升性能

時(shí)間：2024-08-27作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：232

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• 低壓mos管的正確選型？

  MOS管的選型是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，同時(shí)也會給工程師帶來諸多麻煩，下面就跟著銀聯(lián)寶科技一起來學(xué)習(xí)下MOS管正確的選擇方法吧！一步：選用N溝道還是P溝道為設(shè)計(jì)選擇正確器件的一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于

• EL357C產(chǎn)品特點(diǎn)

  EL357C產(chǎn)品特點(diǎn)概述EL357C是一款高性能的LED驅(qū)動電源產(chǎn)品，其主要特點(diǎn)包括高效能、高穩(wěn)定性、寬輸入電壓范圍、低噪音、低功耗以及易于集成。首先，EL357C具有出色的效率表現(xiàn)。它能在低負(fù)載情況下自動進(jìn)入休眠模式，從而顯著降低不必要的功耗。這種高效設(shè)計(jì)不僅有助于節(jié)省能源，而且延長了設(shè)備的使用壽命。其次，該產(chǎn)品具有極高的穩(wěn)定性。EL357C采用先進(jìn)的控制技術(shù)，能夠在各種惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定的輸出

• 肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

  肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)肖特基（Schottky）二管也稱肖特基勢壘二管（簡稱SBD），是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二管，其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌。s0.45V），反向恢復(fù)時(shí)間短和開關(guān)損耗小，是一種低功耗、高速半導(dǎo)體器件。肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、

• 啟達(dá)CR5218SF低成本方案資料，5-12W雙繞組芯片

  CR5218SF自供電雙繞組CC/CV原邊PWM開關(guān)主要特點(diǎn)? 內(nèi)置啟動，省啟動電阻? 內(nèi)置自供電功能，省供電二管? 原邊檢測拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，無需光耦和431? 全電壓范圍內(nèi)恒壓和恒流輸出? 可編程CC/CV模式控制? 采用多模式控制的效率均衡技術(shù)? 內(nèi)置輸出線電壓補(bǔ)償功能? 內(nèi)置初級電感量偏差補(bǔ)償功能? 內(nèi)置全電壓功率自適應(yīng)補(bǔ)償功能? 內(nèi)置過溫度保護(hù)功能? 內(nèi)置FB開路和短路保護(hù)功能? 內(nèi)置消隱? 逐