開關(guān)電源芯片CR6890A

時(shí)間：2024-08-15作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：182

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 啟達(dá)六級(jí)能效CR6855L使用方式

  CR6855L100mW?待機(jī)的低成本綠色節(jié)能?PWM?控制器CR6855L直接替換OB2273/A、NE1102主要特點(diǎn)? 低待機(jī)功耗（<100mW）? 低啟動(dòng)電流?(約5μA)? 低工作電流?(約1.5mA)? 內(nèi)置軟啟動(dòng)技術(shù)降低開機(jī)MOSFET功?率管漏源電壓應(yīng)力? 過(guò)溫保護(hù)外部可調(diào)? 內(nèi)置VDD過(guò)壓保護(hù)以及嵌位保護(hù)功&nbs

• 晶體管的分類及主要參數(shù)應(yīng)用

  晶體管的分類及主要參數(shù)應(yīng)用晶體管的主要參數(shù)有直流參數(shù)、交流參數(shù)、限參數(shù)三類。它們是選用晶體管的依據(jù)。晶體管的分類，晶體管有多種類型:晶體管按結(jié)構(gòu)可分為NPN型和PNP型:按所用的半導(dǎo)體材料可分為硅管和鍺管:按功率可分為大功率管、中功率管、小功率管:按頻率特性可分為低頻管、中頻管、高頻管和頻管;按輸人方式不同可分為普通晶體管、光敏晶體管、磁敏晶體管;按封裝內(nèi)電路結(jié)構(gòu)分為普通晶體管、帶阻晶體管、達(dá)

• 啟達(dá)原邊QR模式PWM過(guò)來(lái)開關(guān)CR3346內(nèi)置650V做5V2A

  啟達(dá)原邊QR模式PWM過(guò)來(lái)開關(guān)CR3346內(nèi)置650V做5V2ACR3346 ?芯片特性：● CR3346 是內(nèi)置 650V 功率 MOS 管，反激式 QR 原邊控制 PWM 功率開關(guān)；● 內(nèi)置軟啟動(dòng)，內(nèi)置斜坡補(bǔ)償電路，內(nèi)置過(guò)功率補(bǔ)償；● 多模式控制的能效均衡技術(shù)，低待機(jī)率滿足能效要求；● 具有“軟啟動(dòng)、OCP、SCP、OTP、OVP 自動(dòng)恢復(fù)等保護(hù)功能；● 電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、較少的外圍元器

• 什么是肖特基二管MBR20100CT

  肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二管或表面勢(shì)壘二管，它是一種熱載流子二管。肖特基二管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正，以N型半