氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備

時(shí)間：2023-04-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：93

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用

  上海伯東美國(guó)?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個(gè)離子源主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性

• 殘余氣體分析儀應(yīng)用于高溫真空爐, 實(shí)現(xiàn)質(zhì)量保證和過(guò)程優(yōu)化

  殘余氣體分析儀應(yīng)用于高溫真空爐, 實(shí)現(xiàn)質(zhì)量保證和過(guò)程優(yōu)化上海伯東某客戶(hù)生產(chǎn)研發(fā) X 射線管及組件, 使用德國(guó) Pfeiffer?Hicube RGA 殘余氣體分析儀與高溫真空爐連接, 測(cè)試產(chǎn)品在不同溫度下?lián)]發(fā)的產(chǎn)物變化, 進(jìn)一步分析產(chǎn)品的耐用性以及使用形態(tài). 實(shí)現(xiàn)真空過(guò)程相關(guān)的質(zhì)量控制, 滿(mǎn)足 X 射線管工藝要求.殘余氣體分析儀質(zhì)量保證和過(guò)程優(yōu)化諸如提供氣體成分定量測(cè)定, 確定過(guò)程氣體純

• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過(guò)渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• 分子泵組應(yīng)用于紅外原位分析平臺(tái)

  Pfeiffer?分子泵組應(yīng)用于紅外原位分析平臺(tái)紅外原位瞬態(tài)反應(yīng)過(guò)程分析實(shí)驗(yàn)平臺(tái)是與世界實(shí)驗(yàn)室同步水平研究的變溫變壓綜合實(shí)驗(yàn)設(shè)備, 由原位吸附高真空系統(tǒng), 低溫系統(tǒng), 氣液物料, 探針凈化控制系統(tǒng)和壓力突變等部件組成, 可用于開(kāi)展樣品的熱脫附, 熱解, 探針?lè)肿语柡臀胶吞结樂(lè)肿用}沖微吸附等復(fù)雜反應(yīng)過(guò)程研究.紅外原位分析平臺(tái)的主要特點(diǎn)是對(duì)固體材料進(jìn)行嚴(yán)格的高真空和高溫預(yù)處理, 可在高真空