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詞條說明
肖特基二管的優(yōu)勢SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面:1)由于肖特基勢壘高度PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ê驼驂航刀急萈N結(jié)二管低(約低0.2V)。2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢壘電容的充、放電時(shí)間,不同于PN結(jié)二管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少,故開關(guān)速度非???,開關(guān)損耗也特別小,尤其適合于高頻應(yīng)用。肖特基二管
肖特基二管 是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的是近年間世的低功耗、大電流、高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航档蛢H0.4V左右,而整流電流卻可達(dá)到幾千安培,能作開關(guān)二管和低壓大電流整流二管使用,這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二管所無法比擬的。完整的叫法是:肖特基整流二管(Schottky Rectifier Diode)縮寫成SR;也有叫做肖特基勢壘二管(Schot
可編程非隔離AC/DC轉(zhuǎn)換開關(guān)芯片CR3215A
可編程非隔離AC/DC轉(zhuǎn)換開關(guān)芯片CR3215A主要特點(diǎn)? 內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOSFET?? 內(nèi)置高壓啟動(dòng)和自供電電路? 適用于Buck、Buck-Boost等多種架構(gòu)? 多模式輸出(輸出電壓大于3.3V,可通過FB電阻調(diào)整或固定輸出12V)? 輸出功率可編程? 改善EMI的頻率抖動(dòng)技術(shù)? 優(yōu)異的負(fù)載調(diào)整率和工作效率? 全面的保護(hù)功能:過載保護(hù)(OLP),過溫保護(hù)(OTP
佳仕達(dá)15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn) 億光EL817光耦量大價(jià)優(yōu)
佳仕達(dá)15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn) 億光EL817光耦量大價(jià)優(yōu)Technical Data Sheet PhotocouplerFeatures:? ?Current transfer ratio(CTR:MIN.50% at IF =5mA ,VCE =5V)? ?High isolation voltage between inputand output (Viso=5000 V rms
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源芯片CR6900HS SOP-7L 啟達(dá)品牌
智能設(shè)備充電器 CR6213S SOP-8L 啟達(dá)
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氮化鎵快充方案150W CR5865AS SOP-8L 啟達(dá)
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