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如何正確選擇電源適配器的IC芯片


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  • PD電源初級側(cè)功率開關(guān)芯片CR5268系列

    PD電源初級側(cè)功率開關(guān)芯片CR5268系列主要特點(diǎn) ? 較低的啟動(dòng)電流 (大約3μA) ? 全電壓范圍待機(jī)75mW ? 滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn) ? 內(nèi)置軟啟動(dòng)減少M(fèi)OSFET應(yīng)力 ? CCM+PFM控制模式 ? 內(nèi)建同步斜坡補(bǔ)償,次諧波震蕩 ? 內(nèi)建頻率抖動(dòng)功能,降低EMI ? 內(nèi)置65kHz開關(guān)頻率 ? 輕載降低工作頻率 ? VDD電壓8.5V至36.5V,工作范圍寬 ? VDD過壓保護(hù)功能 ? 內(nèi)置

  • 場效應(yīng)管和復(fù)合晶體管分類與介紹

    場效應(yīng)管和復(fù)合晶體管是什么概念 場效應(yīng)管(Field Effect Transistor, FET)5N60F 是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。三管稱電流控制元件;場效應(yīng)管稱電壓控制元件。場效應(yīng)管具有輸入電阻高(高可達(dá)1015Ω)、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、耗電省等優(yōu)點(diǎn)。復(fù)合晶體管是指把幾個(gè)晶體管或電阻器連接起來而構(gòu)成具有一定功能的集成器件。常用的復(fù)合晶體管有達(dá)

  • 啟達(dá)內(nèi)置高壓功率開關(guān)MOSFET芯片CR5268

    啟達(dá)內(nèi)置高壓功率開關(guān)MOSFET芯片CR5268拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):副邊大功率:≤36W內(nèi)置類型: MOS功率管:內(nèi)置功率管耐壓: 650V封裝: SOP-8L/DIP-8L/DIP-7LCR5268主要特點(diǎn):●內(nèi)置軟啟動(dòng),以減小MOSFET開關(guān)應(yīng)力●頻率抖動(dòng)和軟件驅(qū)動(dòng)技術(shù)以達(dá)到好的EMI性能●內(nèi)置軟啟動(dòng),以減小MOSFET開關(guān)應(yīng)力,系統(tǒng)無音頻噪音●能效滿足DOEVI和CoCV5_ T2要求CR5268基本

  • CR5212是一款應(yīng)用于小功率 AC/DC 充電器和電源適配器的離線式脈寬調(diào)制控制器

    CR5212恒流/ 恒壓原邊PWMCR5212特征?? 低啟動(dòng)電流?? 恒壓精度可達(dá)±5%、恒流精度可達(dá)±4%?? 原邊檢測拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),無需TL431和光耦?? 全電壓范圍內(nèi)恒壓和恒流輸出?? 可編程CC/CV模式控制?? 內(nèi)置輸出線電壓補(bǔ)償功能?? 內(nèi)置初級電感量偏差補(bǔ)償功能?? 內(nèi)置消隱電路 (LEB)??

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