可控硅的好壞如何判斷？

時(shí)間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：255

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 可控硅的好壞如何判斷？

  方法一：測(cè)量極間電阻法將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測(cè)得T1

• 二極管模塊如何測(cè)量好壞

  萬(wàn)用表檢測(cè)普通二極管的襲極性與好壞。檢測(cè)原理：根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦赃@一特點(diǎn)性能良好的二極管，其正向電阻小，反向電阻大；這兩個(gè)數(shù)值相差越大越好。若相差不多說(shuō)明二極管的性能不好或已經(jīng)損壞。測(cè)量時(shí)，選用萬(wàn)用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋，而不用Rx1或R x10k擋。因?yàn)镽xl擋的電流太大，容易燒壞二極管，R xlok擋的內(nèi)電源電壓太大，易擊穿二極管.測(cè)量方法：將兩表棒分別接在二極管

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來(lái)改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場(chǎng)越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)Q5放

• 小型輕量的直接水冷式車(chē)載IGBT模塊耐壓為1200V

  富士電機(jī)與日本山梨大學(xué)的研究小組開(kāi)發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車(chē)載IGBT模塊，這個(gè)IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別，此次開(kāi)發(fā)品的特點(diǎn)在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅，或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導(dǎo)體國(guó)際會(huì)議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車(chē)載IGBT模塊的耐壓為1200V，電流