igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊

時間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：248

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• 詞條

  詞條說明

• 小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V

  富士電機與日本山梨大學的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊，這個IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別，此次開發(fā)品的特點在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅，或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導體國際會議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V，電流

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調(diào)速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態(tài);當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態(tài),電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場越小,則電機的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動信號經(jīng)Q5放

• 可控硅的好壞如何判斷？

  方法一：測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測得T1

• 焊機專用快恢復二極管DBA200UA60 DBA200UA40

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