igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊

時(shí)間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：234

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來(lái)改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場(chǎng)越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)Q5放

• 二極管模塊的使用指南

  匯流箱的組成????大規(guī)模光伏電站中常見的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品有6、8、10、12?、16?回路等規(guī)格的光伏防雷匯流箱。?它可根據(jù)客戶需要進(jìn)行定制，回路數(shù)不限，靈活配置，一般由以下幾部分組成。箱?體????箱體一般采用鋼板噴塑、不銹鋼、工程塑料等材質(zhì)，外形美觀大方、結(jié)實(shí)耐用、安裝簡(jiǎn)單方便，防

• 可控硅的作用介紹及檢測(cè)方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰

• 4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A

  4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品支持不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的IGBT模塊，額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設(shè)計(jì)旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產(chǎn)品預(yù)計(jì)將主要應(yīng)用在工業(yè)級(jí)驅(qū)動(dòng)、牽引、可再生能源和電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小，支持單開關(guān)模塊、半橋模塊、斬波器