熔斷器供應商告訴你熔斷器原理與作用

時間：2020-11-24

作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司

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小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V
富士電機與日本山梨大學的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊，這個IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別，此次開發(fā)品的特點在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅，或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導體國際會議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V，電流
可控硅的作用介紹及檢測方法
1. 可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰
igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊
由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。?igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例s
4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A
4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品支持不同拓撲結(jié)構(gòu)的IGBT模塊，額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設計旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產(chǎn)品預計將主要應用在工業(yè)級驅(qū)動、牽引、可再生能源和電力傳輸?shù)阮I域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小，支持單開關模塊、半橋模塊、斬波器