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時間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：137

蘇州徳昇锘電子科技有限公司專注于可控硅,晶閘管,二極管等

• 詞條

  詞條說明

• igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊

  由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。?igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例s

• 小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V

  富士電機與日本山梨大學的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊，這個IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別，此次開發(fā)品的特點在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅，或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導體國際會議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V，電流

• 可控硅的作用介紹及檢測方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰

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  蘇州徳昇锘科技有限公司是一家從事電力半導體器件和電子元器件的分銷商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到民用，工業(yè)，通信，等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中。專注為電焊機、變頻器、開關(guān)電源、逆變電源、電力電源、不間斷電源、通信電源等能量控制與變換產(chǎn)品提供核心的半導體功率器件。我們擁有穩(wěn)固的供貨渠道，百分之百的質(zhì)量保證，競爭力強的價格，快捷的交貨和完善周到的服務(wù)。代理經(jīng)營世界各國公司生產(chǎn)的電力電子器件，主要品牌括:Infineon英飛凌、