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詞條說明
一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū)
一、二極管模塊的基本概念與應(yīng)用領(lǐng)域二極管模塊作為一種集成化半導(dǎo)體器件,在現(xiàn)代電子電路中扮演著*的角色。它將多個(gè)二極管以優(yōu)化的方式集成封裝在一起,不僅節(jié)省了電路板空間,更提高了系統(tǒng)的整體性能和可靠性。在泰州地區(qū),隨著電子制造業(yè)的蓬勃發(fā)展,二極管模塊的應(yīng)用已滲透到工業(yè)控制、通信設(shè)備、新能源發(fā)電、電力電子轉(zhuǎn)換等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。從功能角度來看,二極管模塊主要承擔(dān)著整流、續(xù)流、穩(wěn)壓等核心任務(wù)。在電源電
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,精確控制大功率電流是核心技術(shù)之一。作為電力電子領(lǐng)域的核心元器件,可控硅(Thyristor)發(fā)揮著不可替代的作用。而在眾多品牌中,英飛凌可控硅以其卓越的性能和可靠性,成為行業(yè)內(nèi)的成員產(chǎn)品。一、可控硅的基本原理與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可控硅是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)大功率半導(dǎo)體器件,其基本結(jié)構(gòu)由P-N-P-N四層半導(dǎo)體材料組成,形成三個(gè)PN結(jié)。這種特殊結(jié)構(gòu)使得可控硅具有單向?qū)щ娦?,同時(shí)又
德國英飛凌IGBT模塊是一種高效、高功率密度的半導(dǎo)體模塊,廣泛應(yīng)用于各種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域,如電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等。首先,英飛凌IGBT模塊采用了先進(jìn)的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)技術(shù)。這是一種特殊類型的功率半導(dǎo)體器件,具有較高的開關(guān)頻率和功率轉(zhuǎn)換效率。因此,英飛凌IGBT模塊在高頻、高效和快速開關(guān)方面具有顯著優(yōu)勢,使其在各種電力電子應(yīng)用中成為理想選擇。其次,英飛凌IGBT模塊采用了先進(jìn)
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機(jī): 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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網(wǎng) 址: qiwodz.cn.b2b168.com
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