詞條
詞條說(shuō)明
無(wú)感吸收電容的主要用途無(wú)感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類(lèi)器件。采用電極板的特殊繞法,表現(xiàn)出的電感很小,適合在高頻電路使用。用途:主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機(jī)、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備,IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無(wú)感吸收電熔 其實(shí)是無(wú)感吸收電熔的一個(gè)統(tǒng)稱(chēng)吸收電容在電路中起的作用類(lèi)似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管(IG
熔斷絲便是熔斷器的通稱(chēng),這也是大家日常生活之中一種非常簡(jiǎn)單的防護(hù)家用電器。在配電變壓器高、低電壓側(cè)都配有熔斷器做為過(guò)流保護(hù),這也是為了避免短路容量對(duì)變電器的危害。此外,各種各樣能源和照明燈具設(shè)備也經(jīng)常選用熔斷器作短路故障問(wèn)題或持續(xù)過(guò)負(fù)載的保護(hù)設(shè)備。 熔斷器關(guān)鍵由熔體、機(jī)殼和橡膠支座3一部分構(gòu)成,在其中熔體是操縱熔斷特性的重要元器件。熔體的原材料、規(guī)格和樣子決策了熔斷特性。熔體原材料分成低溶點(diǎn)和高
# 可控硅模塊的核心參數(shù)與選型要點(diǎn)可控硅模塊作為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵元器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、調(diào)光系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景。了解其核心參數(shù)對(duì)正確選型至關(guān)重要。## 電壓電流參數(shù)額定電壓和額定電流是可控硅模塊的基礎(chǔ)參數(shù),直接決定了模塊的適用范圍。額定電壓通常指模塊能夠承受的最大重復(fù)峰值電壓,而額定電流則是在規(guī)定條件下能夠持續(xù)通過(guò)的最大有效值電流。選型時(shí)必須確保這兩個(gè)參數(shù)高于實(shí)際應(yīng)用中的最高值,并保留適當(dāng)
可控硅壞的原因:1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有
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