AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域！

時(shí)間：2020-01-05作者：長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：1351

長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司專(zhuān)注于調(diào)Q電源,二極管測(cè)試儀,TEC溫度控制器等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 材料蒸發(fā)溫度控制電源

  圖1 產(chǎn)品外觀圖 一、 概述 PID控制溫度的參數(shù)、適應(yīng)的溫度范圍有限，50~1300℃大溫度范圍的控制，一般采用多點(diǎn)曲線升溫的方式，單一的PID參數(shù)容易引發(fā)高溫段或者低溫段的震蕩現(xiàn)象，引發(fā)系統(tǒng)失調(diào)，損壞電熱絲和熱電偶，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的實(shí)驗(yàn)調(diào)試，這里推出多參數(shù)PID控制電源，用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在**板引入較大輸出功率限制調(diào)節(jié)旋鈕，通過(guò)設(shè)定旋鈕位置，保證了加熱系統(tǒng)的安全；電源前

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  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買(mǎi)的IRF4

• 首創(chuàng)：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！

  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開(kāi)關(guān)。電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點(diǎn)！但是正是由于較高的開(kāi)關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會(huì)形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開(kāi)關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器通過(guò)導(dǎo)線和晶體連接，連接導(dǎo)線等效為一個(gè)諧振電感L，晶體等效為一個(gè)諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過(guò)程是一個(gè)高壓窄脈沖過(guò)程，高壓脈

• 歐電阻的溫度影響精度測(cè)試分析

  歐電阻的溫度影響精度測(cè)試分析 取樣電阻的溫度影響精度測(cè)試分析 分流器的精確測(cè)試分析 分流器是測(cè)量直流電流用的，根據(jù)直流電流通過(guò)阻值很小的電阻時(shí)在電阻兩端產(chǎn)生電壓的原理制成。 在實(shí)際應(yīng)用中，要測(cè)量一個(gè)很大的電流值，沒(méi)有大量程的電流表測(cè)量其電流，分流器就可以產(chǎn)生作用了。分流器兩端產(chǎn)生毫伏級(jí)直流電壓信號(hào)，使并接在該分流器兩端的計(jì)量表顯示電壓值，分流器的電阻時(shí)定值，通過(guò)計(jì)算得到實(shí)際測(cè)量的電流值。 但實(shí)際生