詞條
詞條說明
可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合
熔斷器俗稱保險絲或保險管。早的保險絲于一百多年前由愛迪生發(fā)明,由于當(dāng)時的工業(yè)技術(shù)不發(fā)達(dá)白熾燈很貴重,所以,初是將它用保險絲來保護(hù)價格昂貴的白熾燈的。熔斷器保護(hù)電子設(shè)備不受過電流的傷害,也可避免電子設(shè)備因內(nèi)部故障所引起的嚴(yán)重傷害。因此,每個熔斷器上皆有額定規(guī)格,當(dāng)電流**過額定規(guī)格時保險絲將會熔斷。當(dāng)介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰?的電流)之間的電流作用于熔斷器時,熔斷器應(yīng)能滿意地工作
焊機(jī)的工況是間歇性的。即晶閘管工作時結(jié)溫升高,停止工作時結(jié)溫降至一定值。再次工作,結(jié)溫在此值的基礎(chǔ)上升高。這里應(yīng)該使用晶閘管設(shè)計實(shí)例1中提到的瞬態(tài)熱阻的概念。在這種情況下,熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定。計算公式見圖1。圖1在幾種常見載條件下等效結(jié)溫的計算公式(一)舉例說明。例1:某焊機(jī)采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負(fù)荷工作時,導(dǎo)角120°。每個晶閘管的平均電流為66.有效電
英飛凌IGBT模塊檢測方法 :測試方式:用萬用表只能測量,但不全面,若IGBT損壞一般可以測量出來,但是,若IGBT是好的,它無法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn):GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù),即為損壞。(GE表示G接正表筆,E接負(fù)表筆;其它類同)IGBT的EC之間接有二極管,所以為導(dǎo)通狀態(tài),電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
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