徐州進(jìn)口智能模塊的作用

時間：2025-08-03作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：37

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• 詞條

  詞條說明

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時,電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時,即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動信號經(jīng)Q5放

• 可控硅的作用介紹及檢測方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A

• 南通西門康IGBT模塊的作用

  西門康IGBT模塊：電力電子領(lǐng)域的核心動力在現(xiàn)代工業(yè)自動化和新能源發(fā)展的浪潮中，西門康IGBT模塊作為電力電子轉(zhuǎn)換與控制領(lǐng)域的重要元件，正發(fā)揮著越來越關(guān)鍵的作用。作為一家專業(yè)銷售國際知名品牌功率半導(dǎo)體器件的企業(yè)，我們深知西門康IGBT模塊在各類工業(yè)應(yīng)用中的核心價值。西門康作為全球知名的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，憑借其強(qiáng)大的技術(shù)實力和卓越的產(chǎn)品性能，已成為行業(yè)內(nèi)不可或缺的重要品牌。IGBT（絕緣柵雙極型晶

• 【進(jìn)口吸收電容】吸收電容作用

  吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；第三，選用