徐州富士IGBT模塊的作用

時(shí)間：2025-07-21作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：22

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• 詞條

  詞條說明

• 可控硅的好壞如何判斷？

  方法一：測(cè)量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí)，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測(cè)得T1

• 英飛凌IGBT模塊的主要作用是什么？

  引言在現(xiàn)代電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件已成為工業(yè)自動(dòng)化、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域不可或缺的核心組件。作為全球功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌科技公司推出的IGBT模塊憑借其卓越的性能和可靠性，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將深入探討英飛凌IGBT模塊的主要功能和應(yīng)用價(jià)值，幫助讀者全面了解這一重要電子元器件的技術(shù)特點(diǎn)。什么是IGBT？IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是

• 【英飛凌IGBT銷售】IGBT簡(jiǎn)介

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)

• 熔斷器工作原理和種類

  ? ? ?熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中，作為短路和過電流的保護(hù)器，是應(yīng)用最普遍的保護(hù)器件之一。工作原理利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中，