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HVA 真空插板閥(真空閥門)用于激光真空系統(tǒng)


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  • KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

    硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

  • HVA 高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機

    因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準。HVA?高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機OLED 鍍膜機主要面向半導(dǎo)體照明客戶, 需要鍍膜機性能穩(wěn)定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應(yīng)用一般科研用鍍膜機的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時需要配置分子泵系統(tǒng)或低溫泵

  • KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用

    上海伯東代理美國?KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等!KRi 離子源預(yù)清潔可以實現(xiàn)去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留去除化學(xué)吸附污

  • HVA 真空閥門應(yīng)用于亞洲*大的粒子系統(tǒng)

    因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準。美國 HVA 真空閥門應(yīng)用于亞洲大的粒子系統(tǒng)上海伯東代理的美國 HVA 真空閥門應(yīng)用于中國研制的亞洲大的粒子系統(tǒng) ( 100MV ),當(dāng)前世界上大的粒子系統(tǒng)為美國費密國立實驗室的一臺質(zhì)子同步 ( 200MV )上海伯東是美國 HVA 真空閥門在中國境內(nèi)的代理商, 負責(zé)HVA valve 真空閥門在中國地區(qū)的銷售和相關(guān)

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