真空鍍膜設(shè)備價(jià)格

時(shí)間：2021-10-26作者：廣東振華科技股份有限公司廣東廣州分公司瀏覽：172

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• 詞條

  詞條說明

• 影響磁控濺射中靶中毒的因素有哪些？

  一、靶面金屬化合物的形成由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其

• 真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的技術(shù)特點(diǎn)有哪些？

  真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的技術(shù)特點(diǎn) 真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應(yīng)沉積鍍膜，實(shí)際上，這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。此外，該工藝也特別適合用于多層膜結(jié)構(gòu)的沉積，包括了光學(xué)設(shè)計(jì)、彩色膜、耐磨涂層、納米層壓板、**晶格鍍膜、絕緣膜等。早在1970年，已經(jīng)有了高質(zhì)量的光學(xué)薄膜沉積案例，開發(fā)了多種光學(xué)膜層材料。這些材料包括有透明導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體、聚合物、氧化物、碳化物以及氮化物等，至于氟

• 真空鍍膜設(shè)備的環(huán)境要求

  ? ? ? ? ? 由于真空鍍膜設(shè)備要在真空條件下工作，因此該設(shè)備要滿足真空對(duì)環(huán)境的要求。我國(guó)制減定的各類真空鍍膜設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(包括真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件、真空離子鍍膜設(shè)備、真空濺射鍍膜設(shè)備、真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備)都對(duì)環(huán)境要求作了明確規(guī)定。只有滿足了真空鍍膜設(shè)備對(duì)環(huán)境的要求，才能使該設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)，加上正確的鍍膜工藝，方能生產(chǎn)出合格的鍍膜產(chǎn)品。真空對(duì)

• PVD涂層對(duì)工件表面的要求

  工件或工具表面的條件對(duì)涂層的性能有決定性影響。要想有質(zhì)量良好的涂層，工件需經(jīng)研磨或拋光，并針對(duì)運(yùn)輸進(jìn)行防腐處理。一、研磨的表面不能出現(xiàn)淺裂紋、氧化皮或再硬化燒傷。 二、研磨期間使用的冷卻液不能包含任何磺酸鈣、硼或碘化合物、或含硅的消泡劑。 三、研磨過的表面、用磨刀石磨過的表面、拋光的表面或用磨盤磨過的表面必須沒有研磨劑和殘余物。 四、刀刃必須無毛刺，以便它們不會(huì)在**次使用時(shí)斷裂。 五、在EDM（