徐州恒霄電子科技有限公司LPCVD 技術(shù)原理與基礎(chǔ)機制

時間：2025-07-15作者：徐州恒霄電子科技有限公司瀏覽：8

徐州恒霄電子科技有限公司專注于LPCVD低壓化學氣相沉積,PVD磁控濺射鍍膜機,IBE離子刻蝕機功率器件用等

• 詞條

  詞條說明

• 徐州恒霄電子科技有限公司LPCVD 技術(shù)原理與基礎(chǔ)機制

  LPCVD 技術(shù)是在 10-1000Pa 的低壓環(huán)境中，通過氣態(tài)反應(yīng)物在加熱基片表面發(fā)生化學反應(yīng)，實現(xiàn)固態(tài)薄膜沉積的工藝。其**原理包含四個關(guān)鍵步驟：首先是氣體輸運，將硅烷、氨氣、一氧化二氮等反應(yīng)氣體精準引入反應(yīng)腔室，為反應(yīng)提供物質(zhì)基礎(chǔ)；其次是表面吸附，在 400-800℃的基片表面，氣體分子經(jīng)物理與化學吸附形成吸附層，這是反應(yīng)的前置條件；接著是化學反應(yīng)，高溫下吸附的氣體分子分解或相互反應(yīng)，生成二