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  • 詞條

    詞條說明

  • MOS場(chǎng)效應(yīng)管

    半導(dǎo)體三管中參與導(dǎo)電的有兩種性的載流子,所以也稱為雙型三管。本文將介紹另一種三管,這種三管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單型三管,因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的,所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三管(FET),簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。MOS場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵被絕緣層隔離

  • 肖特基二管的優(yōu)缺點(diǎn)

    肖特基二管的優(yōu)勢(shì)SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面:1)由于肖特基勢(shì)壘高度PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ê驼驂航刀急萈N結(jié)二管低(約低0.2V)。2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間,不同于PN結(jié)二管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少,故開關(guān)速度非??欤_關(guān)損耗也特別小,尤其適合于高頻應(yīng)用。肖特基二管

  • 長(zhǎng)電2SC2873 SOT-89封裝規(guī)格與性能介紹

    長(zhǎng)電2SC2873是一款SOT-89封裝的N-溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有優(yōu)良的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。首先,SOT-89封裝是一種小型化的塑料封裝形式,具有體積小、重量輕、易于安裝和拆卸等優(yōu)點(diǎn)。長(zhǎng)電2SC2873的SOT-89封裝形式使其適用于各種小型化、輕量化、便攜式的電子設(shè)備中,如電源管理芯片、LED驅(qū)動(dòng)器、無線通訊模塊等。在性能方面,長(zhǎng)電2SC2873具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、高速響應(yīng)

  • 常用國(guó)外晶體三管型號(hào)后綴字母與hFE值的對(duì)應(yīng)關(guān)系

    另外,一些小功率晶體三管的封裝管面較小,廠家為了打印型號(hào)方便,往往將型號(hào)中的共用字符進(jìn)行了省略。例如:日本產(chǎn)的2SA562、2SD820A等型塑料封裝管,就將“2S”省略,在管殼上只打印出簡(jiǎn)化型號(hào)A562、D820A,實(shí)際應(yīng)用時(shí)一定要注意這一特點(diǎn)。引腳識(shí)別引腳識(shí)別晶體三管在使用時(shí),各引腳的性絕對(duì)不能認(rèn)錯(cuò),否則必然導(dǎo)致制作的失敗,甚至損毀元器件。圖9-9標(biāo)出了幾種常見三管的各引腳位置。對(duì)于常用的國(guó)

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