STC單片機(jī)的特性及缺點(diǎn)解析

時(shí)間：2022-10-03作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：501

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• MOS管失效原因是什么？

  MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩 端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名**的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)

• STANSON 貼片MOS STN442D 規(guī)格書N60V 37A 應(yīng)用于按摩椅主板 原廠直銷交貨快

  STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60V / 20.0a，RDS（上）= 24mΩ（典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a，RDS（上）= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設(shè)計(jì)較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2

• STN4828 N60V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828

  STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征60V

• STC6301D

  STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強(qiáng)模式電場(chǎng)效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過(guò)程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v