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STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書 中文資料PDF
??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si
臺產(chǎn)MOS管 STN4438 參數(shù)N60V 8.5A用于風扇 原廠交貨快
STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制,以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用,如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。特征60V / 8.2A,RDS(ON)= 25毫歐(典型值)@ VGS = 10V60V / 7.6A,RDS(ON)=3
STC4301D原廠NP40V 23A可替代AOD609、AOD606、FKD4903
STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足,價格優(yōu)美,質(zhì)量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC4301d是采用高電池密度的n&p溝道增強模式電場效應晶體管dmos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理,其
STN4828 N60V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828
STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強型功率場效應晶體管是利用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量減少對狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應用,筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路,高側(cè)開關(guān)特征60V
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 唐二林
電 話: 13168017351
手 機: 13168017351
微 信: 13168017351
地 址: 廣東深圳福田區(qū)福田區(qū)福明路雷圳大廈2605
郵 編:
網(wǎng) 址: stansontech.cn.b2b168.com
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