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詞條說明
IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
熔斷器保險絲你了解嗎熔斷器又稱為保險絲,是用于保護電路的安全設(shè)備。它們安裝于各種供電設(shè)和負(fù)載之間,電流過高時便會觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”),把負(fù)載從電源中斷開,減低過流造成設(shè)備損壞甚至引起火災(zāi)的風(fēng)險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換,這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復(fù)位的。不過保險絲價格便宜,而且容易替換。新的保險絲應(yīng)該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成
可控硅有多種分類方法。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控
整流橋是橋式整流電路的實物產(chǎn)品,那么實物產(chǎn)品該如何接線到實際電路中呢?一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明,工程設(shè)計接線圖的時候已經(jīng)將安裝方式固定下來了,那么在實際應(yīng)用過程中只需要,對應(yīng)線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種,一個是實物產(chǎn)品與電路圖的對應(yīng)方式。左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,B3作為整流正極輸出,C4作為整流負(fù)極輸出,A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式,
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