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保險(xiǎn)絲與熔斷器的區(qū)別


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  • 英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法

    英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法 :測(cè)試方式:用萬(wàn)用表只能測(cè)量,但不全面,若IGBT損壞一般可以測(cè)量出來,但是,若IGBT是好的,它無(wú)法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn):GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù),即為損壞。(GE表示G接正表筆,E接負(fù)表筆;其它類同)IGBT的EC之間接有二極管,所以為導(dǎo)通狀態(tài),電壓為0.34V左右。若想完整測(cè)試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1

  • 英飛凌IGBT模塊

    可控硅有多種分類方法。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控

  • 【二極管模塊】二極管結(jié)構(gòu)組成

    二極管結(jié)構(gòu)組成二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。?采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。??由P區(qū)引出的電極稱為陽(yáng)極,N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?,二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過管子內(nèi)部流向陰極。?[4]&nbs

  • 【二極管模塊】二極管簡(jiǎn)介

    二極管簡(jiǎn)介二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件?。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽(yáng)極和陰極加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通。 當(dāng)給陽(yáng)極和陰極加上反向電壓時(shí),二極管截止。 因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開?。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接,構(gòu)成不同功能的電

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