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詞條說明
MOS管為壓控元件,你只需加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三管在飽和狀態(tài)一樣,導通結(jié)的壓降小.這就是常說的精典是開關(guān)效果.去掉這個操控電壓經(jīng)就截止。MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應管,歸于場效應晶體管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時被稱為場效應管。在一
CR6855L100mW?待機的低成本綠色節(jié)能?PWM?控制器CR6855L直接替換OB2273/A、NE1102主要特點? 低待機功耗(<100mW)? 低啟動電流?(約5μA)? 低工作電流?(約1.5mA)? 內(nèi)置軟啟動技術(shù)降低開機MOSFET功?率管漏源電壓應力? 過溫保護外部可調(diào)? 內(nèi)置VDD過壓保護以及嵌位保護功&nbs
TM74HC164 為8 位移位寄存器(串行輸入,并行輸出)
TM74HC164功能特點:?● ?TM74HC164 為8 位移位寄存器(串行輸入,并行輸出);● 清除端(CLEAR)為低電平時,輸出端(QA-QH)均為低電平;● 串行數(shù)據(jù)輸入端(A、B)可控制數(shù)據(jù)。當A、B 任意一個為低電平,則禁止新數(shù)據(jù)輸入;當A、B 有一個為高電平,則另一個就允許輸入數(shù)據(jù),并在CLOCK 上升沿作用下決定Q0 的狀態(tài);● 在時鐘端(CLOCK)脈沖上
電壓, Vceo:200V截止頻率 ft, 典型值:10MHz功耗, Pd:60mW集電直流電流:7A直流電流增益 hFE:30功耗:60W封裝類型:TO-220引腳節(jié)距:2.5mm總功率, Ptot:60W大連續(xù)電流, Ic:7A小增益帶寬 ft:10MHz滿功率溫度:25°C電壓, Vcbo:400V電壓, Vces:400V電流, Ic @ Vce飽和:5A電流, Ic hFE:2A電流,
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電 話: 0755-83295855
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