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正負干擾抵消電光調(diào)Q干擾消除方法分析 高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版 電光調(diào)Q是一種高壓窄脈沖,具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強干擾的特性,電子設備在如此干擾的環(huán)境中,往往出現(xiàn)死機、誤動作、花屏、甚至燒損等故障,這類故障的形成原因復雜,使用傳統(tǒng)的處理故障手段力所不及。一般情況下,電光調(diào)Q形成單向高壓脈沖,雖然采用濾波,屏蔽等手段,能夠降低干擾到原來的10%;但是任然不能滿足精密測試的要求;較高等
圖1 產(chǎn)品外觀圖 一、 概述 PID控制溫度的參數(shù)、適應的溫度范圍有限,50~1300℃大溫度范圍的控制,一般采用多點曲線升溫的方式,單一的PID參數(shù)容易引發(fā)高溫段或者低溫段的震蕩現(xiàn)象,引發(fā)系統(tǒng)失調(diào),損壞電熱絲和熱電偶,經(jīng)過長期的實驗調(diào)試,這里推出多參數(shù)PID控制電源,用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在**板引入較大輸出功率限制調(diào)節(jié)旋鈕,通過設定旋鈕位置,保證了加熱系統(tǒng)的安全;電源前
MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析
MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析 BJT?管并聯(lián)均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
長春艾克思3相逆變電源UPS順利通過EMC認證 近日,長春艾克思科技有限責任公司研制的3相逆變電源UPS產(chǎn)品順利通過EMC測試,標志著AIKS品牌逆變電源**了進入國外市場的通行證,此項殊榮是一次一突破性的認證。 ??眾所周知,由于逆變電源固有的特點,自身產(chǎn)生的各種噪聲形成一個很強的電磁干擾源,所產(chǎn)生的干擾隨著輸出功率的增大而明顯地增強,使整個電網(wǎng)的諧波污染狀況愈加嚴重。對電子設備的正常運行構成了
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 0431-81672978
手 機: 15604406391
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地 址: 吉林長春朝陽區(qū)長春市朝陽區(qū)人民大街A座7655號航空**A座403-1室
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