我國(guó)在關(guān)鍵性電子元器件發(fā)展多年攻關(guān)仍舉步維艱

時(shí)間：2025-06-05作者：深圳市凱高達(dá)科技有限公司瀏覽：922

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 中國(guó)半導(dǎo)體分銷市場(chǎng)已進(jìn)入比較緩慢的擴(kuò)張階段

  據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究部門即將發(fā)表的報(bào)告，中國(guó)半導(dǎo)體分銷市場(chǎng)已進(jìn)入比較緩慢的擴(kuò)張階段，2011-2016年?duì)I業(yè)收入增幅將不到供應(yīng)商直銷的一半。 預(yù)計(jì)2016年中國(guó)市場(chǎng)通過分銷商銷售的半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將從2011年的355億美元增長(zhǎng)到405億美元，復(fù)合年度增長(zhǎng)率為2.7%.而與之形成對(duì)比的是，同期半導(dǎo)體供應(yīng)商的直銷營(yíng)業(yè)收入將從400億美元上升到559億美元，復(fù)合年度增長(zhǎng)率為6.9%，如圖

• 什么是高壓可控硅 晶閘管？

  一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？? 晶閘管又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕：**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，*三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控

• 臺(tái)積電2013年擬增加25%的資本支出，以擴(kuò)充其產(chǎn)能

  北京時(shí)間9月10日上午消息，閩臺(tái)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》今天援引消息人士的消息稱，**較大的芯片代工制造企業(yè)臺(tái)積電2013年擬增加25%的資本支出，以擴(kuò)充其產(chǎn)能。 《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》的報(bào)告稱，到2013年下半年，臺(tái)積電將為蘋果公司量產(chǎn)新一代處理器。該報(bào)告稱，臺(tái)積電今年的資本支出在80億美元至85億美元之間。按照25%的增幅，臺(tái)積電2013年的資本支出將達(dá)到100億美元。 此前，有消息稱，蘋果和高通此前曾分別試圖向

• 日本京都大學(xué)工學(xué)院成功開發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體器件

  日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅（SiC）材料成功開發(fā)出可耐2萬(wàn)伏**高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬(wàn)伏**高壓的半導(dǎo)體二極管器件，隨后又成功對(duì)**高壓環(huán)境下構(gòu)成功率變換電路的開關(guān)器件和整流器件實(shí)施了技術(shù)驗(yàn)證。 研究組在高壓環(huán)境下通過采用避免電場(chǎng)集中的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和表面保護(hù)技術(shù)，利用碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)了可