汕尾單向可控硅SCRs性能解析與應(yīng)用實踐

時間：2025-06-25作者：深圳市凱高達(dá)科技有限公司瀏覽：26

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  詞條說明

• 因歐債危機加劇沖擊全球市場 傳統(tǒng)旺季Q3到來半導(dǎo)體需求仍然疲弱

  由于上游元器件、半導(dǎo)體需求仍然疲弱，雖然傳統(tǒng)旺季Q3到來，智能終端銷售短期或有反彈，但從中長期看，歐債危機加劇沖擊**市場，經(jīng)濟的不確定性依然較大，在局勢沒有明朗之前，仍然維持行業(yè)“中性”評級。 ?????? 今年下半年電子行業(yè)仍然不會有整體性的機會，但是隨著Q3智能終端一系列新品發(fā)布，LED產(chǎn)業(yè)政策的逐步明朗，我們看好**薄便攜式智能終端

• 先進(jìn)制程需求強勁　晶圓代工廠爭相擴產(chǎn)

  晶圓代工廠在**制程的競爭愈演愈烈。行動裝置對采用**制程的晶片需求日益高漲，讓臺積電、聯(lián)電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠，皆不約而同加碼擴大**制程產(chǎn)能，特別是現(xiàn)今需求較為殷切的28奈米制程，較是首要布局重點。 **各大晶圓代工廠正加速擴大**制程產(chǎn)能規(guī)模。由于智慧型手機與平板裝置市場不斷增長，讓兼具低成本與高效能的**制程需求快速升溫，因此包括臺積電、聯(lián)電、格羅方德（GLOBA

• 日本京都大學(xué)工學(xué)院成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件

  日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅（SiC）材料成功開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體二極管器件，隨后又成功對**高壓環(huán)境下構(gòu)成功率變換電路的開關(guān)器件和整流器件實施了技術(shù)驗證。 研究組在高壓環(huán)境下通過采用避免電場集中的結(jié)構(gòu)設(shè)計和表面保護(hù)技術(shù)，利用碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料實現(xiàn)了可

• ITO-247封裝絕緣大電流高壓可控硅（晶閘管）系列上市

  凱高達(dá)科技新品上市，在國慶之后推出一款大絕緣封裝的產(chǎn)品——ITO-247封裝，內(nèi)部采用**的陶瓷絕緣，同外部散熱底板完全絕緣，絕緣耐壓等級達(dá)4KV以上?？商峁?5A、90A、110A、130A的單向可控硅，60A、80A、100A的雙向可控硅。 絕緣型高壓單向可控硅： GSA75-1800，75A/1800V GSA90-1800，90A/1800V GSA110-1800，110A/1800V