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三星電容 例:CL10B104KA8NNNC 規(guī)格說明:CL=積層陶瓷電容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220
Rdc,Rdc為銅線的直流電阻。Rac/Rdc與頻率、銅線直徑、溫度等因素有關(guān)。例如,圓銅線在20℃,fs=100kHz時,Rac/Rdc=1.7。 詳情請訪問我司的網(wǎng)站: 為使集膚效應(yīng)的影響減小,導(dǎo)線的直徑應(yīng)不大于2△,△為滲透深度(Penetraticn depth)(cm)。 △值與溫度有關(guān),100℃時銅電阻率ρ=2.3×1o-6Ω?cm,μ。為空氣磁導(dǎo)率,f
貼片電容使用過程中主要注意熱沖擊與機械應(yīng)力的影響。 說明:行業(yè)生產(chǎn)貼片電容主要成份為電子陶瓷(陶瓷材料的一種),脆性強是陶瓷材料的天性弱點,其直觀表現(xiàn)為在外加負荷下斷裂是先兆的、暴發(fā)性的,間接表現(xiàn)為抗機械沖擊性和溫度急變性差,脆性的本質(zhì)主要由化學鍵和晶體結(jié)構(gòu)所決定,自然陶瓷材料缺乏像金屬那樣在受力(如彎曲應(yīng)力)狀態(tài)下發(fā)生滑移引起塑性變形的能力且易于引起應(yīng)力的高度集中,材料一旦處于受力狀態(tài)就 難于通
容量(法拉)英制: C = ( 0.224 × K · A) / TD公制: C = ( 0.0884 × K · A) / TD電容器中存儲的能量E = ? CV2電容器的線性充電量I = C (dV/dt)電容的總阻抗(歐姆)Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]容性電抗(歐姆)XC = 1/(2πfC)相位角 Ф理想電容器:**前當前電壓 90o理想電感器:滯后當前電壓 90o理
公司名: 深圳市鵬達誠科技股份有限公司
聯(lián)系人: 曾小姐
電 話: 0755-29435093
手 機: 15919863818
微 信: 15919863818
地 址: 廣東深圳寶安區(qū)寶安區(qū)觀瀾鎮(zhèn)大水坑三村BDC**工業(yè)園
郵 編: 518000
網(wǎng) 址: adient1.cn.b2b168.com
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